IGT60R070D1 - це транзистори сімейства CoolGaN від Infineon з високою рухливістю електронів (HEMT) на основі нітриду галію. Нова технологія CoolGaN забезпечує високу ефективність, максимальну надійність і необхідну щільність потужності кінцевого продукту.
Транзистори IGT60R070D1 є нормально закритими і працюють аналогічно звичайним кремнієвим MOSFET при застосуванні драйверів, які враховують специфіку управління затворами GaN HEMT.
Серія CoolGaN забезпечує ККД системи до 98% і мають високий показник якості FOM (Rds (on) x Qg), що дає конкурентні переваги розробляються пристроїв.
Транзистори можна використовувати в топологіях з жорсткою і м'якою комутацією, наприклад для коректорів коефіцієнта потужності з функціями випрямляча, в високошвидкісних резонансних перетворювачах (рис. 1).
Особливості IGT60R070D1:
- Нормально закриті GaN-транзистори з поліпшеною структурою працюють в режимі збагачення;
- Ультрашвидке перемикання;
- Ні заряду зворотного відновлення;
- Низький заряд затвора, низький вихідний заряд;
- Висока надійність комутації;
- Дуже добре підходить для жорстких і м'яких топологій комутації;
- Корпус для поверхневого монтажу дозволяє досягти максимальних результатів для технології CoolGaN;
- Простота використання з доступним асортиментом драйверів;
- Кваліфікований для промислових застосувань відповідно до стандартів JEDEC (JESD47 і JESD22).
Технічні характеристики IGT60R070D1:
- Напруга витік-стік VDS, max: 600 В;
- Максимальний струм стоку ID: 31 А (25 ° С);
- Максимальний імпульсний струм стоку ID, pulse: 60 А;
- Опір відкритого транзистора, макс RDS (on), max: 70 мОм;
- Повний заряд затвора, QG, typ: 5,8 нКл;
- Вихідний заряд Qoss: 41 нКл (400 В);
- Заряд відновлення діода Qrr: 0
Малюнок 1. Приклад застосування CoolGaN-транзисторів
Виробники: Infineon
розділи: польові транзистори
Опубліковано: 05.12.2018
